Темнопольная микроскопия

Темнопольная микроскопия основана на рассеивании света микроскопическими объектами, в том числе теми, размеры которых меньше предела разрешения светового микроскопа.

Свет от осветителя и зеркала проходит через специальный темнопольный конденсор, который формирует световой пучок в виде полого конуса и направляет его на объект наблюдения. Роль темнопольного конденсора в отраженном свете выполняет эллиптическое зеркало, одетое на оправу объектива. По выходе из конденсора основная часть лучей проходит мимо объектива (который находится внутри этого конуса). Изображение в микроскопе формируется при помощи лишь небольшой части лучей, рассеянных микрочастицами объекта наблюдения внутрь конуса и прошедшими через объектив.

Таким образом, в поле зрения на тёмном фоне видны светлые изображения элементов структуры объекта, отличающиеся от окружающей среды показателем преломления.

Метод темного поля в отраженном свете чаще всего применяется для изучения непрозрачных образцов, которые невозможно увидеть с помощью светлопольной микроскопии, например шлифы металлов. Кроме того, метод идеально подходит для контроля мелких  дефектов на полупроводниковых пластинах, которые на изображении имеют вид ярких «вспышек».