Комплекс аналитический контроля элементов интегральных микросхем на основе регистрации фотонной эмиссии

Аналитический комплекс предназначен для анализа отказов микросхем на основе регистрации излучения электрически нагруженных элементов микросхем с диапазоном длин волн от 400 до 1096 нм.

Для регистрации эмиссии с низкой интенсивностью излучения используется камера полного затемнения.

Контролируемые объекты:

• полупроводниковые пластины диаметром до 200мм
• микросборки не более 50х70мм

Комплекс эксплуатируется в лабораториях.

Фотонная эмиссия в дефектных областях электрически нагруженных элементов на 3-ем фото.